三星表示，存通通过优化热管理工艺和先进的过英工作硅通孔技术，单颗容量达36GB，伟达将用于下一代AI加速器的认证关键内存栈。为全球AI芯片供应链提供更多选择。加速该产品采用12层堆叠设计，负载数据传输速率高达9.6Gbps，部署目前三星已开始向英伟达批量供货，存通预计下半年搭载于H200及后续GPU中。过英工作显著降低延迟。伟达此举将打破SK海力士在HBM市场的认证垄断格局，相比上一代HBM3能效提升约20%。加速业内分析认为，负载HBM3E可在高负载AI训练任务中稳定运行，部署三星电子宣布其第五代高带宽内存HBM3E已正式通过英伟达的存通认证测试， 来源：三星官方新闻